特許
J-GLOBAL ID：200903043303241309

エピタキシャル成長用基板およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体素子

発明者：
肥後 正昭

肥後 正昭 について

, 
日野 大輔

日野 大輔 について


出願人/特許権者：
DOWAエレクトロニクス株式会社

DOWAエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (3件)： 杉村 憲司 ,  来間 清志 ,  高梨 玲子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-087789
公開番号（公開出願番号）：特開2009-242130
出願日： 2008年03月28日
公開日（公表日）： 2009年10月22日
要約：
【課題】発光効率の高いLED構造の作製可能なエピタキシャル成長用基板を提供する。【解決手段】本発明のエピタキシャル成長用基板2は、凹凸形状の主表面3aを有する単結晶基板3と、単結晶基板3上に、エピタキシャル成長により形成された、凹凸形状の第1表面4aを有する第1のIII族窒化物結晶からなる下地層4と、下地層4上に、エピタキシャル成長により形成された、第2のIII族窒化物結晶からなる中間層5とを少なくとも有することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
凹凸形状の主表面を有する単結晶基板と、 該単結晶基板上に、エピタキシャル成長により形成された、凹凸形状の第1表面を有する第1のIII族窒化物結晶からなる下地層と、 該下地層上に、エピタキシャル成長により形成された、第2のIII族窒化物結晶からなる中間層と を少なくとも有することを特徴とするエピタキシャル成長用基板。
IPC (5件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (5件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C
Fターム (54件)：
4G077AA03 ,  4G077AB04 ,  4G077BE11 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077ED04 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TK04 ,  4G077TK08 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA09 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030CA11 ,  4K030CA17 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F041CA99 ,  5F041CB11 ,  5F045AA03 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AF01 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA05 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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