レジストプロセス及び多層レジスト膜

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-234262
公開番号（公開出願番号）：特開平9-080755
出願日： 1995年09月12日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】レジストと反射防止膜との相互の干渉を防止して、正確なパターンのレジストを得ることができるレジストプロセス、及びレジストとこれを補完する膜からなる多層レジスト膜を提供する。【解決手段】レジスト膜の上面又は下面に反射防止膜を形成するレジストプロセスにおいて、反射防止膜とレジスト膜との間にこれらの相互作用を遮断するバリヤー膜を介在させる。

請求項（抜粋）：

パターニングすべき基板に反射防止膜を介してレジスト膜を形成するレジストプロセスにおいて、反射防止膜とレジスト膜との間にこれらの化学的な相互作用を遮断するバリヤー膜を介在させることを特徴とするレジストプロセス。

IPC (3件)：

G03F 7/11 501 , G03F 7/26 511 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/11 501 , G03F 7/26 511 , H01L 21/30 573 , H01L 21/30 574

前のページに戻る