特許

J-GLOBAL ID：200903043312518119

イオンビーム走査方法および装置

発明者： ベリアン,ドナルド・ダブリュー ,  ケイム,ロバート・イー ,  バンダーポット,ジョン・ダブリュー
出願人/特許権者： イクリプス・イオン・テクノロジー・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 竹内 澄夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-176352
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116581
出願日： 1997年06月17日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】比較的大きな半導体ウエハに対し,比較的高い処理量で正確かつ高精度のイオン濃度を与えるイオンビーム注入方法および装置を提供する。【解決手段】本発明に係るイオンビーム走査方法及び装置は,均一な磁場を生成する一対のくさび形ポールピース及び磁気偏向器を用いて平行走査イオンビームを生成する。走査ビーム用のビーム加速器は,走査されたビームが通過するところのスロット形状の通路を有する。ターゲット対象物にわたっての走査及び横断は,該ターゲット対象物上への選択されたビーム電流,すわなちイオン濃度を達成するよう制御される。

請求項（抜粋）：

走査イオンビームを生成するための装置であって,第1の軸線に沿って質量の選択されたイオンビームを生成するイオン源(92)と,ターゲット位置においてターゲット経路(98)に沿って走査される走査イオンビームを形成するべく,前記イオンビームを偏向するための偏向素子手段(96)と,前記ターゲット経路に沿った前記イオンビームの電流を,複数の位置で検出するための電流検出手段(106)と,前記偏向素子手段(96)及び前記電流検出手段(106)に接続された制御手段(118)であって,前記各位置で,前記ターゲット経路に沿って,選択されたイオンビーム電流を得るべく,前記ターゲット経路にわたって前記イオンビームの偏向を調節するための制御手段(118)と,から成る装置。

IPC (3件)：

H01J 37/317 ,  H01J 37/147 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01J 37/317 A ,  H01J 37/147 D ,  H01L 21/265 603 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-123639
  
• 特開昭53-116772
  
• 特開昭55-124936