特許

J-GLOBAL ID：200903043314028909

伝導度変調型MOSFET

発明者： 水野 鉄哉
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-008675
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077489
出願日： 1993年01月22日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】たて型MOSFETのドレイン電極にショットキーバリアを形成させることにして伝導度変調型にした公知の半導体素子のオン電圧とスイッチング速度の相関関係をバリア金属を変えること以外の方法で変え得るようにする。【構成】ゲート電極下のチャネルを通じてキャリアが注入される、例えばn- ベース層の他面側にドナー元素あるいはp転しない程度にアクセプタ元素を拡散し、その拡散層の表面上にショットキーバリア金属を接触させることにより、ショットキーバリアの障壁高さが制御できる。従って、拡散不純物の種類および拡散面積によりオン電圧とスイッチング速度の相関を任意に選ぶことができる。

請求項（抜粋）：

第一導電形の低不純物濃度ベース層の一面側の表面層に第二導電形のベース領域が選択的に形成され、そのベース領域の表面層の端部にベース層の露出部との間にチャネル領域が残るように第一導電形のソース領域が選択的に形成され、そのチャネル領域上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を備え、ベース領域およびソース領域に共通に電極が接触し、ベース層の他面側にそれとショットキーバリアを形成する金属からなる電極が接触するものにおいて、ベース層の電極と接触する表面層に所定の面積の選択的に不純物の導入された第一導電形の領域を有することを特徴とする伝導度変調型MOSFET。