特許

J-GLOBAL ID：200903043314952967

薄膜コンデンサ内蔵型モジュール

発明者： 豊田 誠司 ,  黒光 祥郎 ,  菅村 邦夫 ,  中林 明
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-203030
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050936
出願日： 1995年08月09日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【目的】 実装されるLSIがC-MOS系のLSIの場合にその電気特性に問題を起こすことなく電源ノイズを抑制し得る。放熱特性により一層優れ、高容量で非常に信頼性の高い薄膜コンデンサを内蔵でき、実装面積を広くし得る。【構成】 薄膜コンデンサ内蔵型モジュール40は、窒化アルミニウム基板20上に薄膜コンデンサ17と、この薄膜コンデンサ17上に設けられた薄膜多層回路18とを備える。この窒化アルミニウム基板20は、窒化アルミニウム焼結体11と、この焼結体11上に設けられたAl2O3層12と、このAl2O3層12上に設けられAl2O3にガラスが混在したガラス混在Al2O3層13と、このガラス混在l2O3層13上に設けられた主ガラス層16とにより構成される。

請求項（抜粋）：

窒化アルミニウム基板(20)上に薄膜コンデンサ(17)と、この薄膜コンデンサ(17)上に設けられた薄膜多層回路(18)とを備えた薄膜コンデンサ内蔵型モジュールであって、前記窒化アルミニウム基板(20)は、窒化アルミニウム焼結体(11)と、前記焼結体(11)上にAl2O3層(12)を介して又はAl2O3層(12)を介さずに設けられAl2O3にガラスが混在したガラス混在Al2O3層(13)と、前記ガラス混在Al2O3層(13)上に設けられた主ガラス層(16)とにより構成されたことを特徴とする薄膜コンデンサ内蔵型モジュール。

IPC (4件)：

H01G 4/33 ,  C04B 41/89 ,  H01L 27/01 311 ,  H05K 3/46

FI (6件)：

H01G 4/06 102 ,  C04B 41/89 Z ,  H01L 27/01 311 ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 T ,  H05K 3/46 L