半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-233181
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097504
出願日： 1994年09月28日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】電流阻止層で光を吸収せず、出力が大きく発光効率の高い半導体レーザを提供する。【構成】ヒ化ガリウム系化合物半導体からなる活性層3がヒ化ガリウム系化合物半導体からなる上部および下部クラッド層4、6で挟持され、該上部もしくは下部クラッド層の少なくとも一方の層中に電流路となるストライプ溝が設けられた電流阻止層5を有する半導体レーザであって、前記電流阻止層がチッ化ガリウム系化合物半導体からなる。

請求項（抜粋）：

ヒ化ガリウム系化合物半導体からなる活性層がヒ化ガリウム系化合物半導体からなる上部および下部クラッド層で挟持され、該上部もしくは下部クラッド層の少なくとも一方の層中に電流路となるストライプ溝が設けられた電流阻止層を有する半導体レーザであって、前記電流阻止層がチッ化ガリウム系化合物半導体からなる半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭64-050431
特開昭63-007692

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