特許

J-GLOBAL ID：200903043326433000

半導体レーザの製造方法

発明者： 斉藤 吉三 ,  服部 弘
出願人/特許権者： 本田技研工業株式会社
代理人 (1件)： 鳥井 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-245868
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066499
出願日： 1993年08月25日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 エッチングによりレーザ発振部を半導体基板から隆起して形成する際、レーザ発振部の側面からレーザ光が漏れ出ることがないようにその側面が微細に荒れるようにエッチングする。【構成】 半導体基板上に設けられたレーザ発振要素の積層部分の上面にレーザ発振部のミラー形成面に対応する電極を形成したうえで、その電極の端面を覆うとともに、その電極の少なくとも両側面が露出するように電極部分にマスクをかけて、リアクティブ・イオン・エッチング法によりレーザ発振要素の積層部分をエッチングする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面にレーザ発振要素を積層し、半導体基板の下面に裏面電極を形成し、レーザ発振要素の積層部の上面にレーザ発振部の電極を形成し、その電極部分にエッチングマスクをかけたうえで、レーザ発振要素の積層部分をエッチングしてレーザ発振部を半導体基板から隆起して形成するようにした半導体レーザの製造方法にあって、レーザ発振部のミラー形成面に対応する前記電極の端面を覆うとともに、その電極の少なくとも両側面が露出するように電極部分にマスクをかけて、リアクティブ・イオン・エッチング法によりレーザ発振要素の積層部分をエッチングするようにしたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。