特許

J-GLOBAL ID：200903043337669596

成膜装置の濃度評価方法および濃度調整方法

発明者： 原田 剛史
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-043739
公開番号（公開出願番号）：特開2002-241943
出願日： 2001年02月20日
公開日（公表日）： 2002年08月28日
要約：

【要約】【課題】 化学的気層成長法により成膜する場合において、半導体装置等の製造に適した状態に成膜装置を調整し、段差被覆性の差異を解消する。【解決手段】 チャンバ101と、チャンバ101内に設置された基板102と、チャンバ101内に設置されたシャワーヘッド111と、シャワーヘッド111に接続されたアンプル106と、アンプル106内に貯蔵された原材料と、アンプル106に接続された流量制御機構105とを備えた成膜装置を用いて基板102の表面に成膜する際に、基板102とシャワーヘッド111の間隔を基準となる成膜条件と比べて広く設定した状態で、成膜条件においてシャワーヘッド111よりチャンバ101内に導入される原材料の濃度を、流量制御機構105の設定流量により評価する。また、評価の結果を用いてアンプル加熱機構107の設定温度を調節する。

請求項（抜粋）：

チャンバと、前記チャンバ内に設置された基板と、前記チャンバ内に設置されたシャワーヘッドと、前記シャワーヘッドに接続されたアンプルと、前記アンプル内に貯蔵された原材料と、前記アンプルに接続された流量制御機構とを備えた成膜装置を用いて前記基板の表面に成膜する際に、前記基板と前記シャワーヘッドの間隔を基準となる成膜条件と比べて広く設定した状態で、前記成膜条件において前記シャワーヘッドより前記チャンバ内に導入される原材料の濃度を、前記流量制御機構の設定流量により評価することを特徴とする成膜装置の濃度評価方法。

IPC (5件)：

C23C 16/455 ,  C23C 16/448 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

C23C 16/455 ,  C23C 16/448 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/31 B

Fターム (33件)：

4K030AA11 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030EA01 ,  4K030EA06 ,  4K030GA02 ,  4K030JA03 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA23 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  4M104BB30 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AC17 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE21 ,  5F045BB19 ,  5F045CB10 ,  5F045DP03 ,  5F045EE01 ,  5F045EE03 ,  5F045EE04 ,  5F045GB07