特許

J-GLOBAL ID：200903043340998282

パタン形成方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法並びに感放射線組成物

発明者： 服部 孝司 ,  山中 良子 ,  白石 洋
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-265744
公開番号（公開出願番号）：特開平10-111563
出願日： 1996年10月07日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：

【要約】【課題】酸触媒反応を利用した化学増幅系レジストの露光後の加熱処理中における未露光部への酸の拡散を防止する。【解決手段】化学式1のスルホン酸前駆体を高分子の側鎖に含み、活性放射線の照射により高分子の側鎖にスルホン酸を生じる高分子酸発生剤と酸を触媒とする反応によりアルカリ水溶液に対する溶解性を変化させる反応性を持った媒体を含む感放射線組成物。ここでスルホン酸前駆体は、N-(スルホニルオキシ)カルボキシイミドである。【化1】

請求項（抜粋）：

酸を触媒とする反応によりアルカリ水溶液に対する溶解性を変化させる反応性を持った成分、及びスルホン酸前駆体を高分子の側鎖に含み、活性放射線の照射により前記高分子の側鎖にスルホン酸を生じる高分子酸発生剤を含む感放射線組成物からなる膜を基板上に形成する工程と、前記膜に所望のパタンの活性放射線の露光を行う工程と、前記膜を現像液にさらして所望のパタンとする工程を含むことを特徴とするパタン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/004 503 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/004 503 B ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R