特許

J-GLOBAL ID：200903043341769236

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 岩永 利彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-202404
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036601
出願日： 1998年07月17日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】【課題】 薄膜トランジスタの動作特性改善を目的とした水素化処理の効率化を図る。【解決手段】 薄膜トランジスタは、半導体薄膜2と、その一面側に接して配されたゲート絶縁膜3と、ゲート絶縁膜3を介して半導体薄膜2に重ねられたゲート電極5とを含む積層構造を有する。薄膜トランジスタを製造するため、まず成膜工程を行い、多結晶シリコンからなる半導体薄膜2を絶縁基板1上に形成する。続いて注入工程を行い、半導体薄膜2に不純物を選択的に注入して薄膜トランジスタのソース領域S及びドレイン領域Dを形成する。さらに配線工程を行い、ソース領域S及びドレイン領域Dに電気接続する配線電極7を形成する。この後水素化工程を行い、熱源にランプを用いた急速加熱法により絶縁基板1を急速に加熱して水素を半導体薄膜2に拡散させ結晶欠陥を修復する。

請求項（抜粋）：

半導体薄膜と、その一面側に接して配されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して半導体薄膜に重ねられたゲート電極とを含む積層構造を有し、絶縁基板上に形成される薄膜トランジスタの製造方法であって、多結晶シリコンからなる半導体薄膜を絶縁基板上に形成する成膜工程と、該半導体薄膜に不純物を選択的に注入して薄膜トランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成する注入工程と、ソース領域及びドレイン領域に電気接続する配線電極を形成する配線工程と、熱源にランプを用いた急速加熱法により絶縁基板を急速に加熱して水素を半導体薄膜に拡散させ結晶欠陥を修復する水素化工程とを行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/26

FI (4件)：

H01L 29/78 616 M ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/26 F ,  H01L 29/78 627 E

Fターム (9件)：

5F052AA11 ,  5F052AA24 ,  5F052CA01 ,  5F052DA01 ,  5F052DB02 ,  5F052EA16 ,  5F052FA05 ,  5F052HA06 ,  5F052JA02