特許

J-GLOBAL ID：200903043343304567

基体のエッチング方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法

発明者： 原 昌輝
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-319532
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144070
出願日： 1999年11月10日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 基体に貫通孔を形成する際に、貫通するタイミングを精確に検知することを可能にする基体のエッチング方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 裏面側に凹部10cを有すると共に、この凹部内に上部電極13およびヒンジ部材14が形成されたシリコン基板10の裏面側に、終点検出物質としてリンを含む終点検出層31を形成する。続いて、シリコン基板上にミラーを形成し、レジスト膜33を形成したのち、シリコン基板10に対してドライエッチングを施すことにより、貫通孔を形成する。このとき、終点検出層31が露出して、エッチングされると、終点検出層31に含まれるリンを含有する反応生成物がRIEチャンバ42の内部に拡散する。四重極子質量分析計41により反応生成物に含まれるリンを検出し、検出したタイミングに基づいてエッチングを終了するタイミングを決定するようにする。

請求項（抜粋）：

対向する一面と他面とを有する基体を一面の側から選択的にエッチングして、前記基体に貫通孔を形成するためのエッチング方法であって、前記基体の他面の近傍に、エッチングの終点を検出するための終点検出用物質を設ける工程と、前記終点検出用物質を終点検出手段により検出し、その検出したタイミングに基づいてエッチングを終了する工程とを含むことを特徴とする基体のエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2件)：

C23F 4/00 F ,  H01L 21/302 E

Fターム (16件)：

4K057DA14 ,  4K057DB06 ,  4K057DD03 ,  4K057DE06 ,  4K057DJ03 ,  4K057DJ06 ,  4K057DM02 ,  4K057DN01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004CB02 ,  5F004CB04 ,  5F004CB15 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01 ,  5F004EB08