特許

J-GLOBAL ID：200903043346598189

MIS電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： 岡本 直哉 ,  田中 均
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-248170
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098185
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】 化合物半導体層とGaS絶縁層との界面に存在する局在準位が極めて少なく、化合物半導体層としてGaAsだけでなくInGaAs等も使用することができて、電気的特性が優れたMISFET及びその製造方法を提供する。【解決手段】 GaAs半導体基板1上に、アンドープGaAs層2及びGaAs活性層3を形成する。この活性層3の表面を不活性化処理した後、基板1をMBE装置内に入れ、570〜580°Cの温度でアニールする。その後、ターシャリブチルガリウムサルファキュベンを使用し、基板温度を400〜500°Cに保持して、活性層3上にアモルファスGaSからなる絶縁層を形成する。次に、フォトリソグラフィ法により前記絶縁層をパターニングしてゲート絶縁層5を得る。次いで、ゲート絶縁層5の両側の活性層3上にソース電極4a及びドレイン電極4bを形成し、ゲート絶縁層5上にゲート電極6を形成する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体層と、前記化合物半導体層上に相互に離隔して形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間の前記化合物半導体層上に形成されたアモルファスGaSからなるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極とを有することを特徴とするMIS電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 21/203 M ,  H01L 29/78 301 P