特許
J-GLOBAL ID：200903043347571136

半導体装置

発明者：
小野 瑞城

小野 瑞城 について

, 
西山 彰

西山 彰 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-259598
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103631
出願日： 2002年09月05日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】高電流駆動能力と低静電容量とを実現し高速動作をする高性能の半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1と、半導体基板1上に形成されたゲート絶縁膜5、10と、ゲート絶縁膜5、10上に形成されたゲート電極6と、ゲート絶縁膜6が形成された位置を挟むように互いに離間して半導体基板1表面に形成されたソース領域及びドレイン領域7とを備える第1及び第2の電界効果トランジスタを備える内部回路と、内部回路に接続された入出力部とを具備し、第1の電界効果トランジスタに接続された第1の負荷容量は、第2の電界効果トランジスタに接続された第2の負荷容量よりも大きく、第1の電界効果トランジスタのゲート絶縁膜5は、第2の電界効果トランジスタのゲート絶縁膜10よりも平均比誘電率が高い半導体装置。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート絶縁膜が形成された位置を挟むように互いに離間して前記半導体基板表面に形成されたソース領域及びドレイン領域とを備える第1及び第2の電界効果トランジスタを備えた第1の回路と、 前記第1の回路に前記第1の回路の入出力部として接続され、前記第1の回路よりも高い電圧で駆動される第2の回路とを具備し、 前記第1の電界効果トランジスタのドレイン領域に接続された第1の負荷容量は、前記第2の電界効果トランジスタのドレイン領域に接続された第2の負荷容量よりも大きく、前記第1の電界効果トランジスタのゲート絶縁膜は、前記第2の電界効果トランジスタのゲート絶縁膜よりも平均比誘電率が高いことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78
FI (2件)：
H01L27/08 102C ,  H01L29/78 301G
Fターム (52件)：
5F048AB04 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB04 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB17 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG14 ,  5F140AA00 ,  5F140AB01 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD13 ,  5F140BD16 ,  5F140BD17 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE13 ,  5F140BE16 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG26 ,  5F140BG28 ,  5F140BG29 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BH15 ,  5F140BH16 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ06 ,  5F140BJ23 ,  5F140BK13 ,  5F140BK20 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12 ,  5F140CE07
引用特許：
審査官引用 (4件)
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