不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-211493
公開番号（公開出願番号）：特開平10-055687
出願日： 1996年08月09日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】ディスターブ/リテンション特性を改善できる不揮発性半導体記憶装置を実現する。【解決手段】書き込み時は、データのページバッファ15への格納時にカウンタ16で高しきい値電圧Vthとなる所定の複数のビットデータが“0”である個数をカウントし、個数が1/2ページ以上の場合はフラグビットに“0”を立て、1/2ページより低い場合には“0”を立てて、そのフラグビットをメモリセルアレイ11cに格納し、かつフラグビットが“0”の場合は反転データをメモリセルアレイ11a,11bに書き込み、フラグビットが“1”の場合は書き込みデータを正転状態でそのまま書き込み、読み出し時にはフラグビットも読み出し、フラグビットが“0”の場合は読み出しデータの論理レベルを反転させて出力し、フラグビットが“1”の場合は読み出しデータをそのまま出力する。

請求項（抜粋）：

印加電圧に応じて電荷蓄積部に蓄積された電荷量が変化し、その変化に応じてしきい値電圧が変化するメモリセルを複数有し、3値以上の多値データをページ単位でメモリセルに書き込む不揮発性半導体記憶装置であって、書き込み時に、1ページを構成する書き込みデータを複数に分割し、1ページ全体において当該分割単位内におけるしきい値電圧の高い方の分布を示すビットデータが分割数に基づき設定した値より多いか少ないかを判別し、その結果を示すフラグデータを生成する判別回路と、上記フラグデータを記憶するためのフラグ用メモリセルと、上記フラグデータがしきい値電圧の高い方の分布が多いことを示す場合には、書き込みデータの論理レベルを反転させてメモリセルに書き込みを行い、しきい値電圧の高い方の分布が少ないことを示す場合には、書き込みデータを入力論理レベルのままで書き込みを行うとともに、上記フラグ用メモリセルに上記フラグデータを格納する書込回路とを有する不揮発性半導体記憶装置。

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