特許

J-GLOBAL ID：200903043350092699

光半導体装置用基板へのレンズ加工方法

発明者： 桃井 元 ,  生沢 正克
出願人/特許権者： 株式会社日鉱共石
代理人 (1件)： 大日方 富雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-317445
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129653
出願日： 1991年11月05日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 加工しようとする基板の表面に、基板のエッチングの際にエッチングされない材料からなるマスク層を2層積層形成する工程と、この積層膜の上層のマスク層を所定の形状にパターニングする工程と、ウェットエッチングにより下層のマスク層をサイドエッチングする工程と、上記積層膜をマスクとして基板をエッチングする工程と、上記積層膜の上層を除去する工程と、上記積層膜の下層をマスクとして基板をエッチングする工程と、上記積層膜の下層を除去する工程と、基板をエッチングする工程とからなる。【効果】 フォトリソグラフィ工程で用いるマスクは一つで済むため加工精度を高める場合にもそれほどコストが高くならない、またセルフアラインでエッチングが繰り返されマスクの位置ずれによる加工精度の低下がない。一連の処理の回数を多くすることで厚みの大きなレンズの加工においても高精度に加工できる。

請求項（抜粋）：

加工しようとする基板の表面に、基板のエッチングの際にエッチングされない材料からなるマスク層を2層積層形成する工程と、この積層膜の上層のマスク層を所定の形状にパターニングする工程と、ウェットエッチングにより下層のマスク層をサイドエッチングする工程と、上記積層膜をマスクとして基板をエッチングする工程と、上記積層膜の上層を除去する工程と、上記積層膜の下層をマスクとして基板をエッチングする工程と、上記積層膜の下層を除去する工程と、基板をエッチングする工程とからなる一連の処理で基板表面を凸状に加工した後、上記一連の工程を少なくとも一度以上繰り返すことで基板表面を所望のレンズ形状に加工するようにしたことを特徴とする光半導体装置用基板へのレンズ加工方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/10