特許

J-GLOBAL ID：200903043351046690

プラズマCVD装置用ラジカルヒータの支持機構

発明者： 上野 茂一 ,  笹川 英四郎 ,  青井 辰史 ,  大坪 栄一郎
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-265725
公開番号（公開出願番号）：特開2002-069647
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月08日
要約：

【要約】【課題】本発明は、絶縁不良の発生頻度の低減、装置の大型化の回避、及びヒータエレメントの変形を回避することを得ること課題とする。【解決手段】プラズマCVD装置において基板と放電用電極間に配置され、前記基板の表面に供給される材料ガスを加熱して製膜反応を促進するためのラジカルヒータを支持する機構であり、前記ラジカルヒータは、2つの対向するフラットバーと該フラットバー間に形成された網状のヒータエレメントから構成され、前記ラジカルヒータから引き出される給電線21と該給電線21に張力を付与するばね材23とを具備することを特徴とするプラズマCVD装置用ラジカルヒータの支持機構。

請求項（抜粋）：

プラズマCVD装置において基板と放電用電極間に配置され、前記基板の表面に供給される材料ガスを加熱して製膜反応を促進するためのラジカルヒータを支持する機構であり、前記ラジカルヒータは、2つの対向するフラットバーと該フラットバー間に形成された網状のヒータエレメントから構成され、前記ラジカルヒータから引き出される給電線と該給電線に張力を付与するばね材とを具備することを特徴とするプラズマCVD装置用ラジカルヒータの支持機構。

IPC (2件)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C23C 16/44 B ,  H01L 21/205

Fターム (3件)：

4K030KA25 ,  5F045AA08 ,  5F045EK07