特許
J-GLOBAL ID：200903043354562436
半導体基板の製造方法,半導体装置の製造方法,及び,半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-314693
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326022
出願日： 1993年12月15日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 半導体膜を帯域溶融再結晶化する際、該半導体膜内に形成される帯状の溶融領域の幅を従来に比べて細くすることができる半導体製造装置を得る。【構成】上側ヒータ手段30として、その半導体基板(基板10上に半導体膜2を形成したもの)10に対向する面以外の他の周囲面が熱放射抑止膜11で被覆されたカーボンストリップヒータ4を用いる。
請求項（抜粋）：
基板上に半導体膜を形成してなる半導体基板の該半導体膜を帯域溶融再結晶化する半導体製造装置において、上記半導体基板の下方空間に配設され、上記半導板基板全体をその裏面側から加熱する第1のヒータ手段と、その上記半導体基板に対向する面以外の周囲面が、絶縁性を有し,かつ,熱放射が少ない耐熱材料によって被覆された、上記半導体基板の上方空間において上記半導体基板から一定間隔を隔てて所定方向に一定速度で移動するストリップ状の発熱体からなる第2のヒータ手段とを備えたことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
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