特許
J-GLOBAL ID：200903043356151417
負温度係数サーミスタ素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 清路
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-133493
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329602
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：
【要約】【課題】 組成を変化させなくても、高温下あるいは酸欠雰囲気下でも安定した低いB定数を示すNTCサーミスタ素子の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明のNTCサーミスタ素子の製造方法は、組成が(Y,Sr)(Cr,Fe,Ti)O3で構成される成分を含有する素子について、焼成後に1100°C以上1400°C未満の温度で30時間熱処理を行い、次いで、上記熱処理後の素子に800〜1100°Cで30時間以上の第2熱処理を行う。かかる方法により得られたNTCサーミスタ素子は、特に低温領域でB定数を著しく低下させると共に、より低温領域でも抵抗値が出て、抵抗変化範囲が拡大し、各温度における抵抗値の変化率が6%以内と小さく、金属酸化腐食の激しいセンサ感熱部内部に素子を埋没した過酷な条件下においても、安定した抵抗温度特性を示すことが判る。
請求項（抜粋）：
サーミスタ合成粉末を焼成して得られた熱処理前素子について、1100°C以上1400°C未満で熱処理を行うことを特徴とする負温度係数サーミスタ素子の製造方法。
Fターム (5件)：
5E034BA09
, 5E034BB01
, 5E034BC01
, 5E034DE07
, 5E034DE12
