特許
J-GLOBAL ID：200903043359401724
半導体集積回路用レチクル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-008872
公開番号（公開出願番号）：特開平5-241319
出願日： 1992年01月22日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】露光装置の焦点深度を越える段差を有する半導体基板に対しても焦点外れなく露光できるレチクルを提供する。【構成】石英基板1上にクロム膜2及び酸化クロム膜3による繰り返しパターン領域4と周辺回路パターン領域5とを有す半導体集積回路用レチクルに於いて、繰り返しパターン領域4上に光透過膜7を設ける。光透過膜7即ち、繰り返しパターン領域4を通る光の光路長を周辺回路パターン領域5を通る光に比べ長くし、半導体基板上での焦点面を高くする。
請求項（抜粋）：
透明基板上にクロム等の金属膜によりパターンが形成された高密度素子領域と低密度素子領域とを有する半導体集積回路用レチクルにおいて、前記高密度素子領域に光透過膜を設けたことを特徴とする半導体集積回路用レチクル。
IPC (2件)：
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