特許
J-GLOBAL ID:200903043364809685
イメージセンシングデバイス及びそれを備えたCMOSイメージセンサー
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-301644
公開番号(公開出願番号):特開2009-147326
出願日: 2008年11月26日
公開日(公表日): 2009年07月02日
要約:
【課題】イメージセンシングデバイス及びそれを備えたCMOSイメージセンサを提供する。【解決手段】p-n接合フォトダイオード、及びp-n接合フォトダイオードの上面に金属物質のパターン層を備えたイメージセンシングデバイスと、金属物質のパターン層の上方に形成されたマイクロレンズと、を備え、金属物質は、金、銀、銅、アルミニウム及びタングステンからなる群のうち選択された少なくともいずれか一つからなるCMOSイメージセンサーである。【選択図】図3
請求項(抜粋):
p-n接合フォトダイオードと、
前記p-n接合フォトダイオードの上面に金属物質のパターン層と、を備えたことを特徴とするイメージセンシングデバイス。
IPC (4件):
H01L 31/10
, H01L 27/14
, H01L 27/146
, G02F 2/02
FI (4件):
H01L31/10 A
, H01L27/14 D
, H01L27/14 A
, G02F2/02
Fターム (20件):
2K002AA01
, 2K002AB12
, 2K002BA01
, 2K002CA30
, 2K002EA14
, 2K002EA25
, 4M118AA01
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118FA06
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 5F049MA02
, 5F049NA10
, 5F049NB03
, 5F049QA03
, 5F049SZ06
, 5F049TA12
, 5F049WA03
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