特許

J-GLOBAL ID：200903043366995125

結晶化方法

発明者： 斎藤 修一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-302951
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211116
出願日： 1991年11月19日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【目的】 多結晶シリコンTFTにおいて、リーク電流を小さくし同時にオン電流を大きくする。【構成】 非晶質シリコンに電子線を102 2 〜102 3 e/cm2 を照射することにより核発生は遅くなり、またイオンを照射して不純物を非晶質シリコン中に導入することで、核発生が促進できる。従って、TFTゲート直下の一部領域4を除いて非晶質シリコン3全面に電子線を照射し、熱処理を行うことで核発生が一部領域4から生じ、その後横方向に成長していくために、デバイス領域で重要なゲート及びゲートとソース・ドレイン間の領域が1つの結晶粒で形成される。イオンを照射する場合には、電子線照射の場合と反対に核形成が促進されるので、核発生させたい領域に照射すれば良い。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面に絶縁層を有する基板上に形成した非晶質半導体膜の一部に電子線を照射し、その後熱処理を行うことにより照射しない部分で核発生させて照射しない部分から照射した部分へ向かって結晶化させることを特徴とした結晶化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/263 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324