特許
J-GLOBAL ID：200903043367639500
スイッチング素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-118238
公開番号（公開出願番号）：特開2004-325631
出願日： 2003年04月23日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
【課題】従来表示装置に用いられる薄膜トランジスタには、ゲート電極、半導体層、ソース電極、ドレイン電極などの薄膜プロセスが必要であり、コストが高い。【解決手段】ゲート電極側基板とソース電極、ドレイン電極側基板との間に導電性微粒子を封入し、その導電性微粒子をソース電極、ドレイン電極間からゲート電極側へ電界により移動させることで、オフ状態では電流が流れず、オンオフ特性の良いスイッチング素子を実現でき、大幅なコスト削減を実現することが可能となった。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一つの面上にソース電極とドレイン電極とが設けられた基板と、前記基板と対向する面上に、ゲート電極と前記ゲート電極上に絶縁層が設けられた基板と、で形成される空間に、導電性微粒子が封入されていることを特徴とするスイッチング素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
2H092JA24
, 2H092JA34
, 2H092JA37
, 2H092JA41
, 2H092JB56
, 2H092NA27
