特許

J-GLOBAL ID：200903043367698922

半導体基板処理装置

発明者： 遠目塚 幸二
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-090975
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289602
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】 ウェハの昇降温時間が速く、単位時間当たりのウェハ処理枚数を増大でき、高いウェハ品質が得られる半導体基板処理装置を提供することにある。【解決手段】 処理室に対し第1のガス(N2ガス)と該第1のガスよりも熱伝導率が高い第2のガス(Heガス)とを選択的に導入可能に管路13、14を形成し、その管路13、14に前記第1と第2のガスとを切換えて処理室内に導入する弁手段(第1開閉弁16、第2開閉弁18)を設け、この弁手段をガス切換え制御部22により制御して少なくとも前記昇温及び降温過程の際に第2のガス(Heガス)を流すように制御する。

請求項（抜粋）：

基板を処理室内に搬入出する過程と、処理室内の基板を所定の温度まで昇温する過程と、処理室内に処理ガスを導入して基板を処理する過程と、処理室内の基板を所定の温度まで降温する過程とを含んだ半導体基板処理装置において、前記処理室に対し第1のガスと該第1のガスよりも熱伝導率が高い第2のガスとを選択的に導入可能に管路を形成すると共に、その管路に前記第1と第2のガスとを切換えて処理室内に導入する弁手段と、この弁手段を制御して少なくとも前記昇温及び降温過程の際に第2のガスを流すように制御するガス切換え制御手段とを設けたことを特徴とする半導体基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511

FI (4件)：

H01L 21/31 E ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511 S

Fターム (13件)：

4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030JA06 ,  4K030KA41 ,  5F045AA03 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AD14 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE14