特許

J-GLOBAL ID：200903043367903216

集積回路誘電体の製法

発明者： チャンミン ジン ,  リチャード スコット リスト ,  ジョセフ ディ.ラットマー
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-301396
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214658
出願日： 1998年10月22日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 エージング室中、流れ込む触媒雰囲気中でゲルのエージングを行って、シリカキセロゲル誘電体を製造する。【解決手段】 キセロゲルエージング装置は、入口及び出口を有するエージング室(110)を有し、半導体ウェーハ上のキセロゲル前駆物質フイルムの上に気相としてゲル化触媒を流す。好ましい態様ではアンモニアと水の蒸気ガス混合物触媒を用いる。

請求項（抜粋）：

(a) 本体上に誘電体前駆物質の層を施し、(b) 前記層の上に前駆物質反応触媒を流し込み、次いで(c) 前駆物質反応を完了して誘電体層を形成する、諸工程からなる誘電体層製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C01B 33/16

FI (2件)：

H01L 27/10 651 ,  C01B 33/16

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ナノポーラス・シリカ薄膜を製造するための改善された方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-547456   出願人：アライドシグナル・インコーポレーテッド