半田バンプの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-143873
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343409
出願日： 1992年06月04日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】半田バンプ形成工程に於ける酸化膜形成の低減化を実現させる。【構成】フォトレジスト膜4に設けた開口部にめっき法によりPb/Sn=97/3という組成比の第1の半田めっき膜6と酸化速度の遅いPb/Sn=90/10という組成比の第2のめっき膜5を順次積層して設ける。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けた電極パッドを含む表面にバリヤメタル膜を形成する工程と、前記バリヤメタル膜の上にレジスト膜を形成して前記電極パッド上の前記レジスト膜に開口部を設ける工程と、前記開口部のバリヤメタル膜上にSn含有量の少ない第1のPb-Sn半田膜及び第1のPb-Sn半田膜よりもSn含有量が多く酸化速度の遅い第2のPn-Sn半田膜を順次積層して形成する工程とを含むことを特徴とする半田バンプの製造方法。

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