特許

J-GLOBAL ID：200903043373396571

セラミツク基板及びその製造方法

発明者： 一ノ瀬 昇
出願人/特許権者： 新技術事業団
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-063607
公開番号（公開出願番号）：特開平5-024928
出願日： 1991年03月28日
公開日（公表日）： 1993年02月02日
要約：

【要約】【目的】 AlN系材料に、特殊な方法で窒化ホウ素を加えることにより、厚み方向に組成傾斜を持たせ、基板材料としての機械的強度を保有しながら、切削加工性をもたせ、合わせて誘電率を低減する。また、AlN-Al2 O3 系で構成し、AlNで高熱伝導性をもたせ、Al2 O3 で機械的強度をもたせる。更に、多孔質ガラス-Al2 O3 系で構成し、多孔質ガラスで誘電率を下げ、Al2 O3 で機械的強度をもたせる。【構成】 セラミック基板において、窒化アルミニウム粉末(AlN)と窒化ホウ素粉末(BN)の混合体を焼結した、Al1-x Bx N系(0.3≧X≧0)であり、厚さ方向に組成を傾斜させている。そして、BNによりマシナビリティーを持たせ、厚み方向に切削性を持たせることができる。

請求項（抜粋）：

厚み方向に組成傾斜を持たせたAl1-x Bx N系(0.3≧X≧0)で、高熱伝導性を有し、かつマシナブルであることを特徴とするセラミック基板。

IPC (5件)：

C04B 35/58 103 ,  B32B 5/14 ,  C04B 35/58 104 ,  H01L 23/15 ,  H05K 1/03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-046986
  
• 特開平4-130072