特許
J-GLOBAL ID：200903043376143364
酸化錫透明導電膜のパターニング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸岡 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-092245
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267701
出願日： 1992年03月18日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 酸化錫透明導電膜をエッチングした際に生じたエッチング残りを完全に除去することができる酸化錫透明導電膜のパターニング方法の提供。【構成】 まず、ガラス基板上にスプレー法によって酸化錫透明導電膜を成膜する(成膜温度は 450°C、膜厚は 450nm)。次いで、この酸化錫透明導電膜の表面に太陽電池セルの所定のパターンをレジスト印刷し、乾燥後亜鉛塗布および塩酸浸漬によるエッチングを行う。その後、レジストを剥離し、所定のパターンが形成された酸化錫パターニング基板を得る。次に、この酸化錫パターニング基板を弗化水素酸アンモニウム溶液( 1mol/l)中で揺動させながら45秒間浸漬し、その後これを取り出して純水で洗浄する。次いで、上記基板における透明導電膜上にプラズマCVD法によりアモルファスシリコンp、i、n層を順次成膜し、その上に背面電極としてアルミニウムをEB蒸着により成膜する。
請求項（抜粋）：
基板上に成膜した酸化錫透明導電膜に、エッチング処理を施してパターニングし、このエッチング処理の際に生じたエッチング残渣を、弗酸系溶液によって溶解除去することを特徴とする酸化錫透明導電膜のパターニング方法。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, C23F 1/00 104
, H01B 13/00 503
