特許

J-GLOBAL ID：200903043376751151

薄膜の製造方法及び製造装置

発明者： 岡崎 禎之 ,  本田 和義 ,  ▲高▼井 より子 ,  酒井 仁 ,  稲葉 純一 ,  伊藤 修二 ,  樋口 洋
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-086796
公開番号（公開出願番号）：特開2003-277920
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：

【要約】【課題】 複数の蒸発源を用いて電子ビーム蒸着を行ない薄膜を形成する場合において、面内における組成比率のばらつきを減少させる。【解決手段】 第1薄膜材料を保持する第1蒸発源40aと第2薄膜材料を保持する第2蒸発源40bとを被蒸着面と対向する面内で移動させながら、第1蒸発源40a及び第2蒸発源40bの移動に追従するように電子ビーム源50からの電子ビーム52を偏向させて、第1薄膜材料及び第2薄膜材料を加熱する。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1薄膜材料と第2薄膜材料とを電子ビーム加熱法により加熱し蒸発させて、被蒸着面上に、前記第1薄膜材料と前記第2薄膜材料とを含む薄膜を真空蒸着により製造する方法であって、前記第1薄膜材料を保持する第1蒸発源と前記第2薄膜材料を保持する第2蒸発源とを前記被蒸着面と対向する面内で移動させながら、前記第1蒸発源及び前記第2蒸発源の移動に追従するように電子ビーム源からの電子ビームを偏向させて、前記第1薄膜材料及び前記第2薄膜材料に前記電子ビームを照射することを特徴とする薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 14/30 ,  H01M 4/02 ,  H01M 4/58

FI (3件)：

C23C 14/30 A ,  H01M 4/02 C ,  H01M 4/58

Fターム (13件)：

4K029CA02 ,  4K029DB14 ,  4K029DB22 ,  4K029DB23 ,  5H050AA19 ,  5H050BA16 ,  5H050CA07 ,  5H050CB11 ,  5H050GA02 ,  5H050GA24 ,  5H050GA27 ,  5H050HA12 ,  5H050HA20