特許
J-GLOBAL ID:200903043377022919
レジスト組成物
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小栗 昌平 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-139097
公開番号(公開出願番号):特開2002-333714
出願日: 2001年05月09日
公開日(公表日): 2002年11月22日
要約:
【要約】【課題】 活性光線又は放射線、特に電子線又はX線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はX線の使用に対して感度と、解像性、矩形なパターン形状、良好なエッジラフネスの特性とを同時に満足するレジスト組成物を提供すること。【解決手段】(1)(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)アルカリ水溶液に不溶性又は難溶性であり、酸の作用によりアルカリ水溶液には可溶となる性質を有するポリマー、及び、(C)酸の作用により分解して、分子内にカルボキシル基を発生する含窒素化合物、を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
請求項(抜粋):
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)アルカリ水溶液に不溶性又は難溶性であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる性質を有するポリマー、及び、(C)酸の作用により分解して、分子内にカルボキシル基を発生する含窒素化合物、を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (4件):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, G03F 7/038 601
, H01L 21/027
FI (4件):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, G03F 7/038 601
, H01L 21/30 502 R
Fターム (13件):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025CC20
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
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