半導体のエピタキシャル成長装置および成長方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-207847
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035800
出願日： 1999年07月22日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】ウエハの自動搬送と高周波誘導加熱方式のエピ成長装置の提供。【解決手段】基板ウエハ2を載置可能な複数箇の副サセプタ32をエピ反応容器内に設けた盤状主サセプタ31に載置し、誘導加熱方式でウエハを加熱し、表面にエピ層を形成するもので、前記副サセプタのウエハ載置領域と、前記主サセプタの副サセプタ載置領域に、前記主サセプタの厚みの略2/3以下の孔径を有する貫通孔を3個以上/ウエハ設け、該貫通孔内に副サセプタ上の載置ウエハを上方に押し上げ可能に構成した突き上げピンが両サセプタを貫通して遊嵌配置され、前記突き上げピンは主サセプタ裏面側に配置された押し上げ手段で押し上げてウエハを副サセプタ表面から隔離でき、前記突き上げピンがウエハを押し上げない場合、その頂部が副サセプタ表面と実質的に同一面となるよう構成した半導体のエピ成長装置にある。

請求項（抜粋）：

基板ウエハを載置可能な複数箇の副サセプタをエピタキシャル反応容器内に設置した盤状主サセプタに載置し、該主サセプタの誘導加熱により基板ウエハを加熱し、原料ガスを供給して基板ウエハ表面にエピタキシャル層を形成する半導体のエピタキシャル成長装置であって、前記副サセプタの基板ウエハ載置領域と、前記主サセプタの副サセプタ載置領域に、前記主サセプタの厚みの略2/3以下の孔径を有する貫通孔をウエハ1枚当り3ケ以上設け、該貫通孔内に副サセプタ上の載置ウエハを上方に押し上げ可能に構成した突き上げピンが前記副サセプタと主サセプタとを貫通してそれぞれ遊嵌配置され、前記突き上げピンは主サセプタ裏面側に配置された押し上げ手段で押し上げられることでウエハを副サセプタ表面から隔離できるよう構成されており、前記突き上げピンはウエハを押し上げない場合、その頂部が前記副サセプタ表面と実質的に同一面となるよう構成されていることを特徴とする半導体のエピタキシャル成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/68

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/68 N

Fターム (24件)：

5F031CA02 , 5F031DA13 , 5F031GA44 , 5F031GA47 , 5F031HA10 , 5F031HA33 , 5F031HA37 , 5F031KA03 , 5F031MA04 , 5F031MA28 , 5F031NA09 , 5F045AB02 , 5F045AC05 , 5F045AD14 , 5F045BB01 , 5F045BB08 , 5F045BB11 , 5F045DP15 , 5F045EB08 , 5F045EF03 , 5F045EK03 , 5F045EM02 , 5F045EM10 , 5F045EN04

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