特許

J-GLOBAL ID：200903043383359763

集積回路デバイス作製における全体的平坦化法

発明者： ガリー ポール シュワルツ
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-294282
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167800
出願日： 1996年11月07日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、集積回路デバイス作製における全体的平坦化法を提供する。【解決手段】 非平坦基板表面の全体的平坦化は、エッチング及び化学-機械研磨(CMP)技術とともに、犠牲となる材料を用いて達成される。犠牲となる材料は、CMPプロセス中、基板に対しより大きな除去速度を有し、エッチングプロセス中、材料に対しより小さな速度を有する。犠牲となる材料を用いることにより、非平坦表面中に生じるトポグラフィ的形状の高さが本質的に減少する。次に、形状に依存する皿型形成が本質的に無い平坦化された材料表面を生成させるため、エッチングされた材料表面にCMPプロセスを行う。そのようなプロセスは、集積回路デバイス作製における材料層の平坦化とともに、そのようなデバイス中のくぼんだ構造の平坦化に有用である。

請求項（抜粋）：

基板の非平坦表面の少なくとも1つのくぼんだ領域中に、犠牲となる材料を形成し;基板表面及び犠牲となる材料をエッチングし、非平坦基板表面中に生じるトポグラフィ的形状の高さを減少させ;基板表面及び犠牲となる材料を化学-機械研磨(CMP)し、皿型形成に依存した形状が本質的にない平坦化された基板表面を形成することを含み、犠牲となる材料の除去速度は、エッチング工程中、基板より小さく、化学-機械研磨工程中、大きい集積回路デバイス作製における全体的平坦化の方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

H01L 21/90 P ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 S