特許
J-GLOBAL ID：200903043383576020
レーザースクライビング工程を利用した半導体ウェーハの切断方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
三好 秀和
, 三好 保男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-171695
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311915
出願日： 2003年06月17日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】本発明は半導体ウェーハの切断方法に関するものである。【解決手段】本発明は、半導体層の形成された上面を有するウェーハを所定寸法のチップ単位で切断する方法において、前記ウェーハ(11)が所定厚さを有するよう前記ウェーハ(11)の下面をラッピングする段階(同図(B))と、前記ウェーハ(11)の下面にチップ大でレーザービームを照射してスクライブライン(15)を形成する段階(同図(C))と、前記スクライブライン(15)が形成された前記ウェーハ下面をポリッシングする段階(同図(D))と、前記ウェーハ(11)を前記スクライブライン(15)に沿ってチップ単位(20)で分離する段階(同図(E))とを含む半導体ウェーハの切断方法を提供する。前記方法によると、ウェーハ厚を減少させるラッピング工程とレーザービームによるスクライビング工程とを組み合せてGaN系半導体ウェーハのように硬度の高い半導体ウェーハを容易に切断することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体層の形成された上面を有するウェーハを所定寸法のチップ単位で切断する方法において、
前記ウェーハが所定の厚さを有するよう前記ウェーハの下面をラッピングする段階と、
前記ウェーハの下面にチップ単位で区分するスクライブラインが形成されるようレーザービームを照射する段階と、
前記スクライブラインの形成された前記ウェーハの下面をポリッシングする段階と、
前記ウェーハを前記スクライブラインに沿ってチップ単位で分離する段階と、
を有することを特徴とする半導体ウェーハの切断方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/78 Q
, H01L33/00 C
5F041AA31
, 5F041CA40
, 5F041CA76
