特許
J-GLOBAL ID：200903043384065801
半導体装置,及び半導体装置の製造方法,並びに半導体装置のダイボンディング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-039950
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236554
出願日： 1995年02月28日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【目的】 高歩留りで,生産性よく,安価にダイボンディングを行なうことができる半導体装置,及び半導体装置の製造方法,並びに半導体装置のダイボンディング方法を提供する。【構成】 ウエハ1bの裏面にスピンコート法を用いて熱可塑性導電性ポリイミド樹脂層7aを形成したあと、このウエハ1bをチップ単位に分離して、裏面に熱可塑性導電性ポリイミド樹脂層7aを備えた半導体装置1を得る構成とした。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に、導電性材料からなる粒子を含む熱可塑性樹脂からなる熱可塑性導電性樹脂層を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/52 C
, H01L 21/02 B
