特許

J-GLOBAL ID：200903043385862462

エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置

発明者： 細川 晴臣
出願人/特許権者： 東芝ケミカル株式会社
代理人 (1件)： 諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-339297
公開番号（公開出願番号）：特開平11-158353
出願日： 1997年11月25日
公開日（公表日）： 1999年06月15日
要約：

【要約】【課題】 IRリフロー後の耐湿性、半田耐熱性、成形性、流動性、熱伝導特性に優れ、封止樹脂と半導体チップあるいはリードフレームとの間の剥がれや内部クラックの発生がなく、また電極腐蝕による断線や水分によるリーク電流発生もなく、長期信頼性を保証できるエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置を提供する。【解決手段】 (A)アントラセン型エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)一級又は二級のアミン系シランカップリング剤、(D)窒化アルミニウム粉末および(E)硬化促進剤を必須成分とし、全体の樹脂組成物に対して前記(D)の窒化アルミニウム粉末を40〜95重量%の割合で含有してなるエポキシ樹脂組成物であり、また、このエポキシ樹脂組成物の硬化物によって、半導体チップを封止した半導体封止装置である。

請求項（抜粋）：

(A)次の一般式に示されるアントラセン型エポキシ樹脂、【化1】(但し、式中、R1 〜R4 は同一又はたがいに異なるCm H2m+1基を、該基中のm は0 又は1 以上の整数を表す)(B)フェノール樹脂、(C)次の一般式で示される一級又は二級のアミン系シランカップリング剤、【化2】R5 -Cn H2n-Si (OR6 )3(但し、式中R5 はアミノ基を有する原子団を、R6 はメチル基又はエチル基を、n は0 又は1 以上の整数をそれぞれ表す)(D)最大粒径が100 μm以下の窒化アルミニウム粉末および(E)硬化促進剤を必須成分とし、全体の樹脂組成物に対して前記(D)の窒化アルミニウム粉末を40〜95重量%の割合で含有してなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。

IPC (6件)：

C08L 63/00 ,  C08G 59/24 ,  C08K 3/28 ,  C08K 5/54 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (5件)：

C08L 63/00 B ,  C08G 59/24 ,  C08K 3/28 ,  C08K 5/54 ,  H01L 23/30 R