プリズム結合したSOIベースの光学系で波長感受性を下げるための構成

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： , , , , , , ,
代理人 (8件)：岡部正夫 , 加藤伸晃 , 岡部讓 , 臼井伸一 , 越智隆夫 , 本宮照久 , 朝日伸光 , 三山勝巳
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-513406
公開番号（公開出願番号）：特表2006-526808
出願日： 2004年04月28日
公開日（公表日）： 2006年11月24日
要約：

多重波長光信号で使用するための本光学的結合システムは自由空間の光ビームと比較的薄いSOI構造の表面層(「SOI層」)の間の向上した結合効率を提供し、所定の波長範囲全体にわたって充分な結合効率(50%よりも大きい)を可能にする。結合用プリズムとSOI層の間に配置されたエバネセント結合層が特に、結合効率を向上させるように構成される。一実施形態では、エバネセント層の厚さが1つの波長に関して最適値よりも下に削減され、削減された厚さが規定された中心波長付近の所定の波長範囲全体にわたって結合効率を向上させる。場合によっては、結合効率を向上させるためにテーパ付きの厚さのエバネセント結合層(または削減された厚さとテーパ付き構造の組み合わせ)が使用されることが可能である。入力ビームの発射角度を制御し、かつ結合効率をさらに向上させるために光ビームの操縦が改造されたエバネセント結合層と組み合わされることが可能である。

請求項（抜粋）：

波長範囲と中心波長とによって規定される複数の異なる波長で光信号を発生する外部光源と比較的薄いプレーナシリコン光導波路との間の光学的結合を行うための構成であって、前記プレーナシリコン光導波路の少なくとも一部分の上に配置され、シリコンよりも小さい屈折率を示し、かつ前記外部光源に付随する前記波長範囲全体にわたって光学損失を最小化するように選択された実質的に一定の厚さの平均値を有するエバネセント結合層と、前記エバネセント結合層の上に配置されたシリコンを主原料とするプリズム結合用の構造体であって、前記導波路の表面に関して所定の角度で形成された入り口端面と前記導波路の表面に関して所定の角度で形成された出口端面を有し、前記エバネセント結合層の上に配置されたプレーナ下側表面をさらに有するプリズム結合用構造体とを含む構成。

IPC (3件)：

G02B 6/42 , G02B 6/12 , G02B 26/08

FI (3件)：

G02B6/42 , G02B6/12 F , G02B26/08 E

Fターム (31件)：

2H041AA12 , 2H041AB14 , 2H041AZ06 , 2H137AB05 , 2H137AB06 , 2H137AB11 , 2H137BA22 , 2H137BA33 , 2H137BA41 , 2H137BA52 , 2H137BA53 , 2H137BB02 , 2H137BB12 , 2H137BC51 , 2H137BC62 , 2H137FA01 , 2H137FA06 , 2H147AB16 , 2H147BB05 , 2H147BG01 , 2H147BG04 , 2H147CA07 , 2H147CA09 , 2H147CA13 , 2H147CB00 , 2H147EA12A , 2H147EA12B , 2H147EA13C , 2H147EA14A , 2H147EA14B , 2H147GA22

引用特許：

出願人引用 (3件)

係属特許出願番号60/466,307号
係属特許出願番号668,947号
係属特許出願番号10/720,372号

前のページに戻る