特許
J-GLOBAL ID:200903043395084000
表面が改質されたポリイミドフィルムおよびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
柳川 泰男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-032088
公開番号(公開出願番号):特開平11-209488
出願日: 1998年01月28日
公開日(公表日): 1999年08月03日
要約:
【要約】【課題】 3,4,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸またはその無水物もしくはエステルを含む芳香族テトラカルボン酸成分とp-フェニレンジアミンを含む芳香族ジアミン成分とから得られた芳香族ポリイミドのフィルムで、その表面が良好な接着性を示すように改質すること。【解決手段】 3,4,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸またはその無水物もしくはエステルを含む芳香族テトラカルボン酸成分とp-フェニレンジアミンを含む香族ジアミン成分とから得られた厚みが20〜125μmの範囲にある芳香族ポリイミド中に微粒子状の無機フィラーが分散された芳香族ポリイミドフィルムを、少なくとも一方の側の表面における元素組成中の無機フィラーの金属元素の量が0.03〜0.5原子%増加し、かつその表面における酸素/炭素比が0.01〜0.20増加するようにプラズマ放電処理することによってフィルム表面を改質する。
請求項(抜粋):
3,4,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸またはその無水物もしくはエステルを含む芳香族テトラカルボン酸成分とp-フェニレンジアミンを含む芳香族ジアミン成分とから得られた芳香族ポリイミド中に微粒子状の無機フィラーが分散された厚みが20〜125μmのポリイミドフィルムであって、少なくとも一方の側の表面における元素組成中の無機フィラーの金属元素の量が0.03〜0.5原子%増加し、かつその表面における酸素/炭素比が0.01〜0.20増加するようにプラズマ放電処理することによって表面が改質されたポリイミドフィルム。
IPC (4件):
C08J 7/00 306
, C08J 5/18 CFG
, C08K 3/00
, C08L 79/08
FI (4件):
C08J 7/00 306
, C08J 5/18 CFG
, C08K 3/00
, C08L 79/08 Z
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