特許
J-GLOBAL ID：200903043396836056
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-127401
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335893
出願日： 1994年06月09日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【構成】ダブルゲート型トランジスタにおいてバックゲート電極がイオン注入により形成され、このバックゲート電極はフロントゲート電極をマスクとしたイオン注入により、形成されるかもしくはフロントゲート電極より相対的に広く形成される。【効果】以上の構成からバックゲート電極とフロントゲート電極とが良好な位置で対向するためトランジスタ特性に優れる。
請求項（抜粋）：
表面にバックゲート電極としての第一導電型拡散領域を有する第二導電型半導体基板と、前記半導体基板上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成される半導体膜と、前記半導体膜上であり、前記第一導電型領域の真上にゲート絶縁膜を介して形成されるフロントゲート電極と、前記フロントゲート電極の両脇の前記半導体膜中に形成されるソース・ドレイン拡散層とからなるダブルゲート型半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 311 G
, H01L 29/78 301 G
