特許

J-GLOBAL ID：200903043401012199

熱架橋型光酸発生剤およびこれを用いたフォトレジスト

発明者： 朴 在 根 ,  盧 昌 鎬 ,  文 捧 錫 ,  李 相 均 ,  文 成 允
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-163642
公開番号（公開出願番号）：特開2001-019799
出願日： 2000年05月31日
公開日（公表日）： 2001年01月23日
要約：

【要約】【課題】 高感度、高解像度を示し、低い露光前ベーク温度で処理可能な熱架橋型光酸発生剤およびこれを用いたフォトレジストを提供する。【解決手段】 下記化学式(1):【化1】(式中、Xはメタンスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、4-トルエンスルホネート、10-カンフルスルホネート、シクロヘキサンスルファメート、ペルフルオロブタンスルホネート、ペルフルオロオクタンスルホネート、F、Cl、Br、SbF6、BF4、PF6およびAsF6からなる群より選択され、R1は水素またはメチル基であり、各R1はそれぞれ独立して選択することができ、R2はアルキル基または2-ビニルオキシエチル基である。)で表される熱架橋型光酸発生剤。

請求項（抜粋）：

下記化学式(1):【化1】(式中、Xはメタンスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、4-トルエンスルホネート、10-カンフルスルホネート、シクロヘキサンスルファメート、ペルフルオロブタンスルホネート、ペルフルオロオクタンスルホネート、F、Cl、Br、SbF6、BF4、PF6およびAsF6からなる群より選択され、R1は水素またはメチル基であり、各R1はそれぞれ独立して選択することができ、R2はアルキル基または2-ビニルオキシエチル基である。)で表される熱架橋型光酸発生剤。

IPC (6件)：

C08K 5/375 ,  C08L 25/18 ,  C08L101/00 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

C08K 5/375 ,  C08L 25/18 ,  C08L101/00 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R