特許
J-GLOBAL ID：200903043405769812
アクティブマトリックス基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-033830
公開番号（公開出願番号）：特開平5-232507
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】アクティブマトリックス基板の平坦化を向上する。【構成】画素電極3を形成する領域にTFTの作成に用いられる多結晶シリコン6,64を酸化して透明絶縁層62,65を形成する。このため広い面積を占める画素電極3の上端がTFT部の上端より高くなり、ガラス基板10内に狭い凹部が点在するだけなので、基板全体としては平坦化が向上する。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上に、薄膜トランジスタと走査線および信号線と画素電極とを備え、前記画素電極を作製する領域の上端が、前記薄膜トランジスタと前記走査線および前記信号線から成る領域の上端と同じ高さもしくはそれ以上の高さになっている構造のアクティブマトリックス基板を製造する方法であって、前記ガラス基板上に第1多結晶シリコンを形成する工程と、前記第1多結晶シリコンに選択酸化を行って島状多結晶シリコン領域と第1透明絶縁層を形成する工程と、ゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート電極を第2多結晶シリコンの一部を用いて形成する工程と、前記第1透明絶縁層上に前記第2多結晶シリコンの他の一部を形成した後に酸化を行って第2透明絶縁層を形成する工程と、前記第2透明絶縁層上に前記画素電極を形成する工程と、前記走査線および前記信号線を形成する工程とを含むことを特徴とするアクティブマトリックス基板の製造方法。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G09F 9/35
, H01L 29/784
