特許

J-GLOBAL ID：200903043406502909

自己バイアス磁気抵抗スピン・バルブ・センサ、それを含むヘッド及びこれらを含む磁気ディスク・ドライブ

発明者： ハーダヤル・シング・ギル
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-214696
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116404
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 磁化を配向させる反強磁性層を不必要とする。【解決手段】 非磁性導電性スペーサ層146が強磁性のフリー層142とピン止め層144の間に挟まれる。フリー層とピン止め層の間の磁気結合のため、検知電流Isが流れるとき第1の方向に向く強磁性結合磁場HFCが生じ、ピン止め層からフリー層内に誘導される浮遊脱磁化磁場HDEMAGも生じる。第1の磁束ガイドがエア・ベアリング面(ABS)において上記の層の第1の端面へ、第2の磁束ガイドがABSから奥まったフリー層の第2の端面へ磁気的に結合され、フリー層に対する脱磁化磁場HDEMAGの影響を最小限とする。ピン止め層からの検知電流磁場がフリー層に対する強磁性結合を相殺し、フリー層からの検知電流磁場がピン止め層に対する強磁性結合に加算される。フリー層の磁気モーメント149はで自由に回転し、ピン止め層の磁気モーメントは方向147へピン止めされる。

請求項（抜粋）：

エア・ベアリング面(ABS)を有する磁気ヘッドにおいて用いられる自己バイアス磁気抵抗(MR)スピン・バルブ・センサにおいて、第1及び第2の強磁性層並びに非磁性導電性スペーサ層であって各層が前記ABSに対して実質的に平行な第1及び第2の端面と前記ABSに対して実質的に垂直な第3及び第4の端面とを設けられた第1及び第2の強磁性層並びに非磁性導電性スペーサ層と、前記第1と第2の強磁性層の間に挟まれたスペーサ層と、検知電流を流すために前記第1及び第2の強磁性層並びに前記スペーサ層の前記第3及び第4の端面へそれぞれ電気的に接続された第1及び第2のリードと、第1及び第2の磁束ガイドとを有し、前記第1及び第2の強磁性層が磁気的に結合されることにより強磁性結合磁場(HFC)が前記第1及び第2の強磁性層の各々に形成され、前記第2の強磁性層が前記第1の強磁性層内に誘導される浮遊減磁磁場HDEMAGを有し、前記第1の磁束ガイドが前記各層の前記第1の端面へ磁気的に結合されかつ前記第2の磁束ガイドが前記各層の前記第2の端面へ磁気的に結合されることにより前記第1の強磁性層内に誘導される前記浮遊減磁磁場HDEMAGを低減し、それにより、検知電流が流れるとき、前記第1の強磁性層からの検知電流磁場が前記第2の強磁性層内の強磁性結合磁場を補足して該第2の強磁性層の磁化をピン止めし、かつ、前記第2の強磁性層からの検知電流磁場が前記第1の強磁性層内の強磁性結合磁場と反対向きとなることで該第1の強磁性層の磁化が適用される磁場の影響下で自由に回転する、自己バイアス磁気抵抗スピン・バルブ・センサ。