特許
J-GLOBAL ID：200903043406787466

ショットキー電極の製造方法

発明者：
岡島 武彦

岡島 武彦 について

, 
池谷 昌久

池谷 昌久 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-279900
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093595
出願日： 2004年09月27日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：
【課題】理想的な特性に近いショットキー電極を製造する方法を提供する。【解決手段】GaAs基板101にリセス107を形成するためのエッチングを行う際に、このリセス107の表面に、水酸基を多く含むGa酸化膜108が形成される。このGa酸化膜108はショットキー電極の特性を悪化させる原因になる。このため、エッチング後、このGaAs基板101をホットプレートで加熱することにより、このGa酸化膜108から水酸基を取り除き、絶縁性の高いGa酸化膜109に変質させる。その後、Ga酸化膜109上にショットキー電極111を形成し、レジストパターン106や金属層110を取り除いた後、保護膜113を形成する。この発明によれば、Ga酸化膜108内の水酸基が水に変化する反応を加熱処理によって促進させることができ、これにより水酸基を取り除くことができるので、理想的な特性に近いショットキー電極111を得ることができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板表面の半導体領域上にショットキー電極を形成する方法であって、 前記半導体領域の表面に形成された酸化膜中の水酸基を減少させるための水酸基除去工程と、 当該水酸基除去工程後の前記酸化膜上にショットキー電極を形成する電極形成工程と、 を有することを特徴とするショットキー電極の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47
FI (4件)：
H01L29/80 F ,  H01L21/28 E ,  H01L29/50 J ,  H01L29/48 D
Fターム (30件)：
4M104AA05 ,  4M104BB15 ,  4M104CC03 ,  4M104DD09 ,  4M104DD21 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104FF27 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F102FA00 ,  5F102FA09 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GM04 ,  5F102GM06 ,  5F102GN05 ,  5F102GR04 ,  5F102GS02 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21
引用特許：
出願人引用 (3件)

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