半導体加工部品の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-058057
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256567
出願日： 1997年03月12日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】可動電極部の下部および周囲の犠牲層となる酸化シリコンをエッチングするときに、固定電極部の下部の酸化シリコンがエッチングされずに残っており、したがって、固定電極部の面積を小さくして寄生容量を低減することのできる半導体加工部品の製造方法を提供する。【解決手段】支持板1、酸化シリコン2および上部シリコン層の3層構造よりなる半導体基板の上部シリコン層を加工して固定電極部4および可動電極部3を形成し、固定電極部4の少なくとも固定電極部分4bの周囲の酸化シリコン2上に窓を有するマスクを形成し、このマスクを用いて少なくとも固定電極部分4bの周囲の露出している酸化シリコン2にボロンを注入し、前記マスクを除去した後、フッ酸系水溶液で可動電極部分3dの下部およびその近傍の酸化シリコン2を選択的にエッチングする半導体加工部品の製造方法。

請求項（抜粋）：

支持板、酸化シリコンおよびシリコン層の3層構造よりなる半導体基板の前記シリコン層を加工して固定電極部および可動電極部を形成し、前記固定電極部の少なくとも固定電極部分の周囲の酸化シリコン上に窓を有するマスクを形成し、該マスクを用いて少なくとも前記固定電極部分の周囲の露出している酸化シリコンにボロンを注入し、前記マスクを除去した後、フッ酸系水溶液で前記可動電極部の可動電極部分の下部およびその近傍の酸化シリコンを選択的にエッチングする半導体加工部品の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/84 , G01L 1/14 , G01P 15/125

FI (3件)：

H01L 29/84 Z , G01L 1/14 A , G01P 15/125

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