特許

J-GLOBAL ID：200903043409899850

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドのウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、磁気メモリ素子、および磁気センサアセンブリ

発明者： 島沢 幸司 ,  宮内 大助 ,  水野 友人 ,  土屋 芳弘
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (4件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  岩田 慎一 ,  緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-301580
公開番号（公開出願番号）：特開2007-110011
出願日： 2005年10月17日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：

【課題】磁気抵抗効果素子において、膜厚を抑え、狭シールドギャップ化を容易とし、かつスピン注入効果によるノイズを低減する。【解決手段】磁気抵抗効果素子1は、ピンド層4とスペーサ層5とフリー層6とがこの順で互いに隣接して形成された第1の積層膜14と、一方の面がフリー層6に隣接して設けられた第1の膜(キャップ層)7と、第1の膜7の他方の面に隣接して設けられた、強磁性体からなる第1の電極膜11と、第1の積層膜14の、第1の電極膜7とは反対側の面に設けられた第2の電極膜12とを有している。第1、第2の電極膜11,12は、第1の積層膜14および第1の膜7に、膜面垂直方向にセンス電流を流すようにされている。第1の膜7は、金、銀、銅、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、クロム、もしくは白金、またはこれらの合金からなっている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

外部磁界に対して磁化方向が固定されたピンド層と、非磁性導電層からなるスペーサ層と、前記外部磁界に応じて磁化方向が変化するフリー層とがこの順で互いに隣接して形成された第1の積層膜と、 一方の面が前記フリー層に隣接して設けられた第1の膜と、 前記第1の膜の他方の面に隣接して設けられた、強磁性体からなる第1の電極膜と、 前記第1の積層膜の、前記第1の電極膜とは反対側の面に設けられた第2の電極膜と、 を有し、 前記第1、第2の電極膜は、前記第1の積層膜および前記第1の膜に、膜面垂直方向にセンス電流を流すようにされ、 前記第1の膜は、金、銀、銅、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、クロム、もしくは白金、またはこれらの合金からなる、磁気抵抗効果素子。

IPC (2件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39

FI (3件)：

H01L43/08 H ,  G11B5/39 ,  H01L43/08 Z

Fターム (5件)：

5D034BA03 ,  5D034BA12 ,  5D034CA04 ,  5D034CA05 ,  5D034DA07

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 薄膜磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-036767   出願人：松下電器産業株式会社
• 磁気検出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-015001   出願人：アルプス電気株式会社