特許
J-GLOBAL ID：200903043412563901
エピタキシャルウェハおよび化合物半導体発光素子ならびにそれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-101351
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293473
出願日： 1995年04月25日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：
【要約】【目的】 長寿命で高性能の化合物半導体発光素子およびそれを工業的に製造できる方法を提供する。【構成】 GaP基板1と、基板1上に形成されたInNからなるバッファ層2と、バッファ層2上に形成されたIn<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>Nからなる緩和層3と、緩和層3上に形成されたIn<SB>k </SB>Ga<SB>1-k </SB>Nからなる発光層4とを備える。ここで、kは0<k<1の範囲の一定の値であって、xはバッファ層2側から発光層4側へ厚さ方向に1からkまで(ただし、xは1およびkを除く)減少する。
請求項（抜粋）：
揮発性化合物半導体基板と、前記基板上に形成されたInNからなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成された、InGaNを含むエピタキシャル層とを備えた、エピタキシャルウェハ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00 C
