特許
J-GLOBAL ID：200903043419284420
多層配線構体形成法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-237479
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055760
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 基板上に第1の配線層を形成し、次に上記基板上に上記第1の配線層を埋め且つ上記第1の配線層を外部に臨ませる窓を有する層間絶縁層を形成し、次に上記第1の配線層の上記窓を通じて外部に臨む領域の表面を清浄化し、次に上記層間絶縁層上に、上記第1の配線層に上記窓を通じて連結している第2の配線層を形成する工程を有する多層配線構体形成法において、上記第1の配線層の上記窓を通じて外部に臨む領域の表面を清浄化する工程において、上記層間絶縁層の窓が微小に形成され、従って上記層間絶縁層の窓が大きなアスペクト比が得られるように形成されていても、上記第1の配線層の上記窓を通じて外部に臨む領域の表面を清浄化が良好に行われるようにする。【構成】 上記第1の配線層の上記窓を通じて外部に臨む領域の表面を清浄化させる工程において、その清浄化をさせるのに、上記基板に、それが加熱されているまたは加熱されていない状態で、シンクロトロン放射光を、上記第1の配線層の上記窓を通じて外部に臨む領域に向けて照射させる。
請求項（抜粋）：
(i)(a)基板上に第1の配線層を形成し、次に、(b)上記基板上に、層間絶縁層を、上記第1の配線層を埋めるように形成し、次に、(c)上記層間絶縁層に、上記第1の配線層を外部に臨ませる窓を形成し、次に、 (d)上記第1の配線層の上記窓を通じて外部に臨む領域の表面を清浄化し、次に、(e)上記層間絶縁層上に、上記第1の配線層に上記窓を通じて連結している第2の配線層を形成する工程を有する多層配線構体形成法において、(ii)上記第1の配線層の上記窓を通じて外部に臨む領域の表面を清浄化させるのに、上記基板に、シンクロトロン放射光を、上記第1の配線層の上記窓を通じて外部に臨む領域に向けて照射させることを特徴とする多層配線構体形成法。
IPC (4件)：
H05K 3/46
, H05K 3/00
, H05K 3/40
, B23K 26/16
