特許

J-GLOBAL ID：200903043420603211

化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子

発明者： 小河 淳 ,  湯浅 貴之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-295140
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135882
出願日： 1997年10月28日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】 窒素を主成分として含むIII-V族化合物半導体の良好な結晶を得ることを目的とする。【解決手段】 マイカ上に、直接又は中間層を介して、窒素を主成分とするIII-V族化合物半導体を結晶成長させてなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

マイカと、該マイカ上に結晶成長された窒素を主成分とするIII-V族化合物半導体とを備えてなることを特徴とする化合物半導体基板。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C