特許
J-GLOBAL ID：200903043420716040
半導体トランジスタチップ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-343027
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175497
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 出力別にラインナップされたGa・As・FETに使用するトランジスタチップを一種類のチップで実現し、マスク数低減及び生産管理効率化を計る。【構成】 トランジスタチップ上に、ゲート幅の異なるトランジスタを数個配置し、各々の電極パッドを接続せずに独立して並べた構造。
請求項（抜粋）：
半導体チップ上に、ゲート幅の互いに異なるトランジスタを複数個形成し、互いの電極を絶縁して独立して並べたことを特徴とする半導体トランジスタチップ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 301 W
, H01L 29/78 301 B
, H01L 21/82 S
