特許
J-GLOBAL ID：200903043422304831
太陽電池
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-317390
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163962
出願日： 1992年11月26日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 高い変換効率を有する太陽電池。【構成】 基板102上には、バッファ層104を介して光吸収用のGaAs層106が形成されている。このGaAs層106は、n型層上にp型層を成長したものでこれによりpn接合が形成される。このGaAs層106中には、InGaAsからなる量子井戸型光吸収層108が設けられている。この層108は、GaAs106よりも長波長側の光を吸収するためのものである。したがって、広い帯域の光を吸収して電流とすることができ、太陽電池の短絡電流が上昇してその変換効率を上昇させることができる。また、本発明の太陽電池は、基本的には単一接合太陽電池であるので、タンデム型太陽電池を形成する際のような複雑なプロセス技術を一切使用する必要がない。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体結晶から形成された第1導電型層と、第2導電型の半導体結晶から形成されるとともに前記第1導電型層に接合された第2導電型層とを備える太陽電池において、前記第1及び第2導電型層の少なくとも一方に、これらの半導体結晶のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを有する半導体結晶からなるポテンシャル井戸層を含む副吸収領域を設けたことを特徴とする太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 E
, H01L 31/04 L
