特許

J-GLOBAL ID：200903043423351418

液晶ディスプレイ基板の製造方法

発明者： 今橋 一成 ,  浜 貴一
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-330073
公開番号（公開出願番号）：特開平6-208133
出願日： 1992年11月16日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 ガラス基板上に形成した非晶質半導体膜上に駆動回路部を生成するLCD基板の製造方法におて、駆動回路部について良好な性能を確保すること。【構成】 ガラス基板1上に例えば減圧CVDにより非晶質シリコン膜2を形成し、レーザ照射部3によりこの非晶質シリコン膜2に島状にレーザ光のパルスを照射して当該照射領域を多結晶化する。この場合例えば各領域毎に、多結晶に必要な照射エネルギー以下のエネルギーで照射した後必要なエネルギーで照射する。その後前記照射領域内に成膜処理、エッチングを繰り返して半導体素子よりなる駆動回路部を形成し、例えばこの工程において、予め形成したTFT5との配線を成膜処理により行う。

請求項（抜粋）：

光透過性の基板上に、画素領域内に配置されたスイッチング素子と、このスイッチング素子を駆動する駆動回路部とを備えた液晶ディスプレイ基板を製造する方法において、前記光透過性の基板上に、非晶質半導体膜を成膜する工程と、前記非晶質半導体膜に島状にレーザ光のパルスを照射して非晶質半導体膜を多結晶化する工程と、前記レーザ光のパルスの照射領域内に駆動回路部の少なくとも半導体素子を生成する工程と、この駆動回路部とスイッチング素子とを電気的に接続するための配線層を形成する工程と、を含むことを特徴とする液晶ディスプレイ基板の製造方法。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 Y