特許

J-GLOBAL ID：200903043423353500

結晶質シリコン薄膜の形成方法

発明者： 今城 信彦
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-293667
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147245
出願日： 1993年11月24日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】【構成】第1の真空室1で発生したプラズマを第2の真空室2に導き、そこで、シリコンと水素の化合物から選ばれた少なくとも1種類のガスと、フッ素化モノシランガス(SiHm Fn :ただしm+n=4)から選ばれた少なくとも1種類のガスとを原料ガスとしてプラズマ流5に供給して励起、分解し、結晶質シリコン薄膜を形成する。【効果】低い基板温度で、大面積の基板上に均一な膜厚の薄膜を高速かつ効率的に形成できる。

請求項（抜粋）：

第1の真空室においてプラズマを発生させ、該プラズマを第2の真空室に導き、第2の真空室において、該プラズマ中に原料ガスを供給して原料ガスを励起、分解し、基体上に結晶質シリコン薄膜を形成する方法であって、第2の真空室において、シリコンと水素の化合物から選ばれた少なくとも1種類のガスと、フッ素化モノシランガス(SiHm Fn :ただしm+n=4)から選ばれた少なくとも1種類のガスとの混合ガスを原料ガスとして供給することにより基板上に結晶質シリコン薄膜を形成することを特徴とする結晶質シリコン薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 31/04 X